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超硅半导体申请SOI衬底边缘清洗方法及装置专利减少甚至避免化学清洗液对SOI衬底背面腐蚀

发布时间:2025-08-07 22:46:24 人气:

  

超硅半导体申请SOI衬底边缘清洗方法及装置专利减少甚至避免化学清洗液对SOI衬底背面腐蚀

  金融界2025年8月7日消息,国家知识产权局信息显示,上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“SOI衬底边缘的清洗方法及清洗装置”的专利,公开号CN120432379A,申请日期为2025年04月。

  专利摘要显示,本发明涉及一种SOI衬底边缘的清洗方法及清洗装置。所述SOI衬底边缘的清洗方法包括如下步骤:提供待清洗的SOI衬底,所述SOI衬底包括相对分布的正面和背面;喷射化学清洗液至所述SOI衬底的正面的边缘区域,并同时喷射气体至所述SOI衬底的背面,形成覆盖所述SOI衬底的背面的气体保护层;采用去离子水冲洗所述SOI衬底,去除残留的所述化学清洗液。本发明减少甚至是避免了化学清洗液对所述SOI衬底的背面的腐蚀,使得清洗后的所述SOI衬底满足了集成电路对SOI衬底表面严格的质量要求。

  天眼查资料显示,上海超硅半导体股份有限公司,成立于2008年,位于上海市,是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析,上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目24次,财产线条,此外企业还拥有行政许可192个。

  重庆超硅半导体有限公司,成立于2014年,位于重庆市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析,重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目21次,专利信息149条,此外企业还拥有行政许可18个。

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